Toshiba Corporation anunció que ha logrado la tecnología de circuitos más rápida del mundo para DRAM (Memoria de Acceso Aleatorio Dinámico) para el Sistema LSI, y así lograr una velocidad de 833MHz a una densidad de 32Mb. La tecnología se aplicará al LSI de procesamiento de gráficos, y fue lanzada recientemente en la Conferencia Estatal de Circuitos Sólidos (ISSCC por sus siglas en inglés), realizada en San Francisco.
Debido a que pueden leer más información a mayores velocidades que la memoria externa, las memorias DRAM se aplican a los sistemas en chips para aplicaciones de gráficos. Conforme las imágenes de video cuentan con mejores niveles de definición, se requiere mayor velocidad de procesamiento y mayores densidades.
Para lograr mayor velocidad de operación, Toshiba aplicó un “pseudo-sistema de dos puertos”, tecnología que divide virtualmente en dos la memoria total, y después lee y escribe la información en paralelo y de forma alterna. Al reemplazar el sistema de lectura y escritura serial convencional con la nueva tecnología paralela, y optimizar tales circuitos como la estructura de comando, Toshiba logró el más alto nivel de desempeño de DRAM a 32Mb, densidad aplicable a los productos en la actualidad.
El sistema LSI con memoria DRAM incluida tendrá aplicación en los productos de consumo digitales de la siguiente generación, en las aplicaciones de juegos, teléfonos móviles, proyectores y otras aplicaciones relacionadas con despliegue de imágenes que requieren transferencia a alta velocidad de grandes volúmenes de información. Toshiba planea aplicar esta tecnología a su proceso líder de sistema LSI de 65nm, y satisfacer la demanda del mercado para aplicaciones de gráficos avanzados a través del lanzamiento de la integración de SoC con la nueva memoria DRAM.
