Yokkaichi y Tokio – Toshiba Corporation y SanDisk® Corporation celebraron una ceremonia tradicional y una recepción por la apertura de Fab 4, la planta de fabricación de semiconductores de 300mm más reciente en Yokkaichi Operations de Toshiba, en la Prefectura de Mie, Japón.
Respondiendo a la creciente demanda de memoria NAND flash utilizada en una amplia variedad de aplicaciones digitales, incluyendo reproductores de medios digitales, teléfonos móviles, computadoras personales y tarjetas de memoria, Toshiba inició en agosto de 2006 la construcción de Fab 4.
Se espera que Fab 4 inicie la producción en masa en diciembre de 2007 y alcance una capacidad de producción de 80,000 semiconductores al mes en el segundo semestre de 2008. La fab aún tiene espacio para ampliar su capacidad y una mayor inversión podría elevar la producción a 210,000 semiconductores al mes, en respuesta al incremento que se proyecta en la demanda del mercado a futuro. En un inicio, Fab 4 empleará la innovadora tecnología de proceso de 56 nanómetros (nm) y hay planes para hacer la transición gradual a la tecnología de 43 nm, a partir de marzo de 2008.
“Toshiba y nuestro socio SanDisk están contentos de celebrar la construcción de esta nueva planta”, aseguró el Shozo Saito, Vicepresidente Corporativo de Toshiba Corporation y Presidente & CEO de Semiconductor Company de Toshiba. “Fab 4 incluirá capacidades de manufactura de clase mundial, tanto en escala como en productividad. Nos ayudará a fortalecer nuestro liderazgo en el mercado global de memorias NAND flash de más alta densidad, y ofrecerán un motor de crecimiento poderoso a ambas compañías”.
El Dr. Eli Harari, Director Ejecutivo y Presidente de SanDisk Corporation, afirmó, “Fab 4 es un testimonio del éxito de la excelente sociedad y compromiso a largo plazo entre Toshiba y SanDisk. El enorme tamaño y alcance tecnológico de Fab 4 reflejan nuestra confianza y optimismo en el futuro, y creemos que nos permitirá satisfacer la creciente demanda de almacenamiento flash de nuestros clientes globales en los próximos años”.
Fab 4 está diseñado para reducir el impacto en las operaciones a causa de desastres naturales. El edificio se construyó usando la estructura más reciente que resiste el impacto de los terremotos, el cual está diseñado para reducir la fuerza de los temblores en hasta dos terceras partes y despliega la compensación de energía múltiple (MPC) que es activada al instante por cualquier pérdida repentina y momentánea de la energía eléctrica que provoca un relámpago, por ejemplo.
Toshiba patrocinó la construcción del edificio Fab 4, y Flash Alliance, Ltd, una empresa conjunta de Toshiba y SanDisk establecida en Julio de 2006, 50.1% propiedad de Toshiba y 49.9% de SanDisk, está financiando el avanzado equipo de manufactura que se instala en Fab 4.
La nueva planta permitirá a Toshiba y SanDisk desplegar los avances más recientes en tecnología de procesos y la tecnología de celdas de múltiples niveles, así como apoyar a las compañías a fortalecer más su competitividad y asegurar su liderazgo continuo en el mercado de memoria flash NAND.
Perfil de Fab 4 en Yokkaichi Operations
– Estructura del Edificio: Concreto con estructura de acero, cinco pisos (dos pisos con espacios limpios)
– Área de construcción: 35,500m2 aprox. (382,000 pies cuadrados aprox.)
– Área del piso: 181,000m2 aprox. (1,948,000 pies cuadrados aprox.)
– Inicio de la construcción: Agosto de 2006
– Término de la construcción: Julio de 2007
– Inicio de la producción en masa: Diciembre 2007(planeado)
Perfil de Yokkaichi Operations
– Ubicación: 800 Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi-shi, Mie Prefecture, Japón
– Fundación: 1992
– Director General: Noriyoshi Tozawa
– Empleados: Aprox. 3,200
– Área total: 312,300m2 aprox. (3,362,000 pies cuadrados aprox.)
– Área total del piso: 460,000m2 aprox. (4,951,000 pies cuadrados aprox.) (incluyendo Fab 4)
Perfil de Flash Alliance, Ltd.
– Ubicación: 800 Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi-shi, Mie Prefecture, Japón
– Fundación: Julio de 2006
– Capitalización: 3 millones de yenes
– Holding: Toshiba: 50.1%, SanDisk: 49.9%
